理论研究表明,X射线入射到固体材料当中会出现X射线散射现象,但是实际材料往往会偏离严格的周期排列。1946 年,在布里斯托尔大学的黄昆对稀固溶体的 X 光漫散射进行了研究,认为是固溶原子引起的长程弹性畸变(晶体缺陷)会导致 X 射线发生漫散射。除此之外,黄昆还采取了一种简化模型,给出了相关公式。黄昆关于稀固溶体的 X 光漫散射的预言,后来由德国科学家派斯尔(H.Peisl)等人在实验中证实,被物理学界称作“黄漫散射”,现已成为研究晶体微缺陷的有效手段。
在培训班上,黄昆亲自主讲固体物理,并与谢希德合作讲授半导体物理课程。另外,他还邀请了苏联专家 A. B. 桑杜洛娃指导半导体实验室建设,并为教师开设了半导体工艺课程。培训班先后培养了 241 名毕业生,另有 20 名来自清华大学和南开大学的旁听生。这是中国半导体物理学科发展史上的一件大事。他们为发展中国半导体事业迅速培养的一大批专门人才,后来成为中国半导体专业教学与科研工作的骨干力量。